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还在为寻找一颗既高效又紧凑的功率开关而烦恼吗？DMN10H170SVTQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和2.6A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅160毫欧@5A,10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它采用微小的TSOT-26表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内布局功率电路，轻松实现产品的小型化与轻量化设计。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境下的稳定运行。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMN10H170SVTQ-13都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:DMN10H170SVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN10H170SVTQ-13，Diodes产品一站式供应商。