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还在寻找一颗能在紧凑空间内扛起高效开关重任的“核心动力”吗？DMN10H170SVTQ-7正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的坚固耐压和2.6A的持续电流能力，其核心魅力在于低至160毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用易于焊接的TSOT-26表面贴装封装，能轻松融入高密度PCB布局，为您节省宝贵的板级空间。优化的栅极特性确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现精准的功率控制。无论是提升现有产品的能效，还是为创新设计注入强劲动力，DMN10H170SVTQ-7都是您值得信赖的伙伴。

• 型号:DMN10H170SVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN10H170SVTQ-7，Diodes产品一站式供应商。