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还在为寻找一颗既能承受高压又具备高效开关性能的紧凑型MOSFET而烦恼吗？DMN10H220LQ-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的高耐压和仅220毫欧的超低导通电阻，能让您的电源转换或电机驱动电路损耗大幅降低，效率显著提升。

它能在仅4.5V的低驱动电压下高效工作，并承载高达1.6A的连续电流，同时其极低的栅极电荷和输入电容确保了迅猛的开关响应。采用标准的SOT-23-3贴片封装，让您轻松实现高密度PCB布局，节省宝贵空间。无论是打造更小巧的快充头，还是设计更可靠的工业控制板，它都能让您的产品性能更强劲，设计更从容。

• 型号:DMN10H220LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN10H220LQ-13，Diodes产品一站式供应商。