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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、同时保持极低损耗的功率开关解决方案？DMN10H220LQ-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有1.6A的连续电流能力，其核心魅力在于仅220毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它专为简化您的设计而生。4.5V的低栅极驱动电压让您能轻松搭配大多数控制IC，而微小的SOT-23-3封装则能完美融入空间受限的紧凑型设计。无论是用于实现快速的负载开关，还是在高频DC-DC电路中担任主开关，其优异的开关特性都能确保系统响应迅速、运行稳定。选择它，就是为您的产品选择了一份可靠的高性能与高能效保障。

• 型号:DMN10H220LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN10H220LQ-7，Diodes产品一站式供应商。