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还在寻找那颗能兼顾高性能与微型化的“心脏”吗？DMN10H220LVT-13 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它拥有100V的耐压和1.87A的持续电流能力，却精巧地栖身于TSOT-26封装内，让您能在寸土寸金的电路板上轻松实现高效的功率开关与控制。

这颗芯片的核心魅力在于其卓越的能效。仅220毫欧的低导通电阻，意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。同时，其快速开关特性（低栅极电荷）与宽泛的工作温度范围，确保它能在从消费电子到工业控制的多种场景中稳定发挥，大幅提升您产品的整体可靠性与市场竞争力。

• 型号:DMN10H220LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.87A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:401 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.67W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN10H220LVT-13，Diodes产品一站式供应商。