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还在为电路板空间紧张而妥协性能吗？DMN1150UFL3-7双N沟道MOSFET阵列，是您紧凑型设计的效率引擎。它能在微小的DFN1310封装内，为您提供高达2A的连续电流处理能力和仅12V的漏源电压，特别适合电池供电设备和空间受限的模块。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至150毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，让您轻松实现高效的功率切换与信号路径管理，大幅降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统能效。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围及汽车级（AEC-Q101）认证，更确保了它在各种严苛环境下的稳定性和可靠性，是您打造高品质、高可靠性产品的理想选择。

• 型号:DMN1150UFL3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1310-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115pF @ 6V
• 功率 - 最大值:390mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-XFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:X2-DFN1310-6（B 类）
• DMN1150UFL3-7，Diodes产品一站式供应商。