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还在为电路板上密密麻麻的分立MOSFET而头疼吗？DMN1250UFEL-7为您提供了一站式的高效解决方案。这颗芯片集成了8个性能一致的N沟道MOSFET于超紧凑的UFQFN封装内，让您轻松实现多路信号切换、负载开关或电平转换功能，彻底告别布局拥挤和匹配烦恼。

它拥有低至450mΩ的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低功率损耗，提升系统效率，让您的便携设备续航更持久。其宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和稳定的电气特性，确保您的设计在各种环境下都能可靠运行。选择它，就是选择用更少的空间和更简单的设计，实现更强大、更高效的控制能力。

• 型号:DMN1250UFEL-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-QFN1515-12
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:8 N 沟道，共栅，共源
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.9nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:190pF @ 6V
• 功率 - 最大值:660mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-UFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-QFN1515-12
• DMN1250UFEL-7，Diodes产品一站式供应商。