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还在为复杂的双路开关设计而烦恼吗？DMN16M0UCA6-7双N沟道MOSFET阵列就是您期待的答案。它将两个高性能的MOSFET集成于一个微小的6-SMD封装内，让您轻松实现紧凑、高效的电路布局，彻底告别分立元件带来的空间与布线挑战。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅5.9mΩ的超低导通电阻和高达17A的电流处理能力，显著降低导通损耗，提升系统能效，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其1.3V的低阈值电压和优化的栅极电荷，确保快速、干净的开关动作，非常适合用于需要精密控制的负载开关、电机驱动及DC-DC同步整流应用。

选择它，意味着您选择了一种可靠的工作伙伴。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围和稳健的设计，保障了在各种严苛环境下的持久稳定运行。无论是消费电子还是工业设备，DMN16M0UCA6-7都能助您打造出更高效、更可靠、更具竞争力的产品。

• 型号:DMN16M0UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN2112-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9mOhm @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:900mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X4-DSN2112-6
• DMN16M0UCA6-7，Diodes产品一站式供应商。