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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMN16M9UCA6-7双N沟道MOSFET阵列就是您的空间魔术师。它将两个高性能开关集成于一个微小的6引脚封装中，让您轻松实现高密度设计，同时享受分立器件般的灵活控制。

这颗芯片能为您做什么？它让您高效管理电源路径和信号切换。其1.3V的低栅极阈值电压，可直接由微控制器驱动，简化您的电路；而低至35.2nC的栅极电荷，则确保了快速的开关响应，有效降低功耗。无论是用于便携设备的负载开关，还是电池管理系统的保护电路，它都能提供稳定可靠的性能。

选择DMN16M9UCA6-7，就是选择了一种省心、高效的解决方案。它帮助您减少元件数量，优化BOM成本，并凭借-55°C至150°C的宽工作温度范围，保障您的产品在各种环境下持久稳定运行，加速项目成功。

• 型号:DMN16M9UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN2718-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2360pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X3-DSN2718-6
• DMN16M9UCA6-7，Diodes产品一站式供应商。