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DMN2004DWK-7 零件图片(仅供参考)

DMN2004DWK-7
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DMN2004DWK-7 规格参数

还在为电路板上的空间焦虑吗?DMN2004DWK-7双N沟道MOSFET阵列,就是为您的高密度设计而生的效率引擎。它让您仅用一颗芯片,就能轻松驾驭两路高达540mA的负载开关或信号切换任务,其逻辑电平门控特性可直接由微处理器驱动,大幅简化您的电路设计。

这颗芯片能为您做什么?它凭借仅550毫欧的低导通电阻,显著降低开关损耗,直接提升终端设备的能效与续航。其超小的SOT-363封装,完美适配任何空间受限的便携式电子产品,从智能穿戴到物联网传感节点,都能找到它的用武之地。选择它,就是选择了一种更高效、更紧凑的电路实现方式,让您的产品设计轻装上阵,性能却毫不妥协。

  • 型号:DMN2004DWK-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):550 毫欧 @ 540mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):150pF @ 16V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • DMN2004DWK-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMN2004DWK-7 基本参数:

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