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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的开关核心吗？DMN2004TK-7就是您理想的解决方案。这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，专为低压、小电流应用优化，能让您的便携设备运行更持久、响应更迅捷。

它能在低至1.8V的驱动电压下高效导通，轻松配合现代低功耗MCU，显著降低系统整体能耗。其仅550毫欧的低导通电阻（@4.5V, 540mA），意味着更少的能量损耗和更低的发热，让您的产品设计更高效、更可靠。采用微型SOT-523封装，它为您节省下至关重要的PCB空间，让产品设计迈向更轻薄、更紧凑的未来。

• 型号:DMN2004TK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMN2004TK-7，Diodes产品一站式供应商。