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还在为电路板空间紧张而发愁吗？DMN2004VK-7双N沟道MOSFET阵列就是您的高密度设计救星。它能在指尖大小的SOT-563封装内，为您提供两个独立的开关通道，让您轻松实现负载切换、电源隔离或信号路由，极大节省您的PCB宝贵面积。

这颗芯片专为低电压、高效率场景优化。其逻辑电平门特性让您可以直接用微控制器的GPIO口（低至1V阈值）驱动它，无需复杂电路，设计变得异常简单。同时，低至550毫欧的导通电阻意味着更少的能量损耗和发热，让您的便携设备续航更持久，运行更凉爽。无论是智能穿戴、IoT模块还是便携式消费电子，它都能助您一臂之力。

• 型号:DMN2004VK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150pF @ 16V
• 功率 - 最大值:250mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN2004VK-7，Diodes产品一站式供应商。