我们为全球各个行业提供Diodes DMN2004WK-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能轻松驾驭便携设备电源开关任务的“高效能手”吗？DMN2004WK-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和540mA的连续电流能力，配合低至1.8V的驱动电压，让您能轻松对接各类低功耗主控芯片，实现精准、高效的负载通断控制。

它采用先进的MOSFET技术，在4.5V驱动下导通电阻仅为550毫欧，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接转化为您产品的更长续航时间或更小的散热设计压力。其超紧凑的SOT-323封装，为您节省宝贵的PCB空间，助力产品实现更小巧、更时尚的设计。选择它，就是为您的应用注入一份高效与可靠。

• 型号:DMN2004WK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN2004WK-7，Diodes产品一站式供应商。