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您是否希望为紧凑型设计找到一颗既强悍又可靠的“能量开关”？DMN2004WKQ-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能轻松胜任20V/540mA范围内的负载开关与信号切换任务，其低至1.8V的驱动门槛和优异的导通特性，让您的系统功耗更低、响应更迅捷。

它采用微型SOT-323封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时具备汽车级AEC-Q101认证，从-55°C到150°C都能稳定工作，可靠性毋庸置疑。无论是便携设备、车载电子还是工业控制，选择它，就是为您的产品选择了高效与安心的双重保障。

• 型号:DMN2004WKQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN2004WKQ-7，Diodes产品一站式供应商。