我们为全球各个行业提供Diodes DMN2005DLP4K-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双路开关设计而头疼吗？DMN2005DLP4K-7双N沟道MOSFET阵列，正是您简化设计、提升效率的得力助手。它将两个独立的20V/300mA MOSFET集成于微小的6-XFDFN封装内，让您轻松实现紧凑电路板上的高效功率切换与信号路径管理。

这颗芯片能为您做什么？它能以极低的导通损耗（1.5欧姆@10mA, 4V）高效控制小型电机、LED阵列或传感器模块的供电，显著提升能源利用效率。其宽工作温度范围和表面贴装特性，让您的产品设计更加灵活可靠，轻松应对各种严苛环境挑战。

• 型号:DMN2005DLP4K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1310-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:400mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-XFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:X2-DFN1310-6（B 类）
• DMN2005DLP4K-7，Diodes产品一站式供应商。