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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的开关核心吗？DMN2005LPK-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能在低至1.5V的电压下被轻松驱动，实现高效导通，其440mA的电流处理能力和优异的散热性能，让您在便携设备、传感器模块等应用中，轻松实现更长的续航和更稳定的运行。

它采用先进的3-X1DFN1006超微型封装，几乎不占用PCB空间，让您的设计更加紧凑、灵活。同时，其宽广的工作温度范围（-65°C至150°C）确保了在各种严苛环境下的出色可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一个值得信赖的高性能“电子开关”，助您高效完成设计，快速抢占市场先机。

• 型号:DMN2005LPK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):440mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN2005LPK-7，Diodes产品一站式供应商。