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还在为寻找一颗既能承载大电流又具备超高效率的功率开关而烦恼吗？DMN2005UFG-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和高达18.1A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于惊人的低导通电阻在4.5V驱动下仅4.6毫欧，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统能效。

它专为追求极致的电源管理设计而生。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更快、更冷、更安静。其采用易于焊接的PowerDI3333-8表面贴装封装，能轻松集成到空间受限的现代电子产品中，是提升您产品功率密度和可靠性的秘密武器。

• 型号:DMN2005UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6495 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.05W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN2005UFG-13，Diodes产品一站式供应商。