我们为全球各个行业提供Diodes DMN2005UFGQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在为寻找一颗既能承载大电流，又具备卓越开关性能的功率MOSFET而烦恼？DMN2005UFGQ-13正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MOSFET技术的N沟道器件，拥有20V的漏源电压和高达50A（Tc）的连续漏极电流能力，其核心魅力在于低至4.6毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为要求严苛的汽车电子（AEC-Q101认证）和高性能电源应用而优化。极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的电源设计，提升功率密度。无论是驱动电机、管理负载开关，还是构建高效的DC-DC转换器，DMN2005UFGQ-13都能以卓越的电气性能和PowerDI3333-8的小尺寸封装，助您打造出更紧凑、更可靠的下一代产品。

• 型号:DMN2005UFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6495 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.05W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN2005UFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。