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您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、让设备运行更“清凉”的核心开关器件？DMN2005UFGQ-7正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有20V的耐压和高达18A（Ta）的连续电流能力，其核心魅力在于超低的导通电阻（仅4.6毫欧@4.5V），能大幅降低导通损耗，直接为您带来更高的系统效率和更长的电池续航。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能。更值得一提的是，它符合AEC-Q101车规标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，让您的设计不仅能轻松应对严苛的消费电子应用，更能稳健迈入要求更高的汽车电子领域。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:DMN2005UFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6495 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.05W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN2005UFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。