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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的MOSFET而烦恼吗？DMN2008LFU-13双N通道MOSFET阵列就是您的理想选择。它能在仅20V的漏源电压下，持续输送高达14.5A的强大电流，而其核心魅力在于超低的5.4毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片专为追求高功率密度的现代设计而生。它集成了两个高性能通道于微小的UDFN2030封装内，为您节省宝贵的电路板空间。同时，优化的栅极电荷和输入电容参数，确保了快速、干净的开关特性，让您轻松实现更高的开关频率和更优的动态响应。无论是提升能效还是压缩体积，它都能让您的设计目标轻松达成。

• 型号:DMN2008LFU-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 5.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1418pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
• DMN2008LFU-13，Diodes产品一站式供应商。