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还在为寻找一颗能平衡性能、尺寸与成本的功率开关而烦恼吗？DMN2011UFDF-13正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地控制电流通路，其高达14.2A的电流承载能力和低至9.5毫欧的导通电阻，让您轻松实现更低的功率损耗和更高的系统效率。

它采用紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其优异的散热性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的设计在各种环境下都稳定可靠。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载管理，DMN2011UFDF-13都能让您的产品性能更强劲，运行更冷静。

• 型号:DMN2011UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2011UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。