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还在为电源转换效率低下和电路板空间紧张而烦恼吗？DMN2011UFX-7双N沟道MOSFET正是您的理想解决方案。它凭借仅9.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久，轻松实现高达12.2A的电流处理能力。

这颗芯片采用微型DFN2050-4封装，完美适配空间受限的现代便携式设备设计。其优异的开关特性（低栅极电荷）让您能够构建更高频率的电源电路，从而使用更小的外围电感电容，进一步节省PCB面积和整体成本。无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC同步整流，它都能让您的系统运行更加高效、可靠。

• 型号:DMN2011UFX-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN2050-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 10A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-VFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN2050-4
• DMN2011UFX-7，Diodes产品一站式供应商。