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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMN2011UTS-13就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为高效开关而设计，其核心使命是让您的系统运行得更“冷静”、更省电。凭借低至11毫欧的导通电阻，它能大幅减少电流通过时的能量损耗，直接转化为更高的整体效率和更低的温升。

它能让您轻松驾驭高达21A的连续电流，在20V的电压平台上稳定工作。无论是用于同步整流、电机控制还是负载开关，其优化的栅极驱动特性（驱动电压低至1.5V）和快速的开关速度，都能帮助您构建出响应更迅捷、能效更出众的电路。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN2011UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2248 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173\\
• DMN2011UTS-13，Diodes产品一站式供应商。