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您是否正在为复杂的多路开关电路而烦恼，渴望一种更简洁、更高效的解决方案？DMN2012UCA6-7正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET阵列芯片，集成了多个高性能MOSFET于一个超紧凑的封装内，能轻松替代多个分立器件，让您的电路设计瞬间化繁为简。

它的核心使命，是让您的产品更小巧、更可靠、更高效。凭借8V至24V的宽范围击穿电压支持，它为您的系统提供了坚实的保护，适应多种应用场景。采用它，您能大幅节省PCB空间，简化布线，降低整体BOM成本，并有效提升生产效率和最终产品的功率密度与可靠性，让您的创新设计轻松落地。

• 型号:DMN2012UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN2718-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26nC @ 4V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2417pF @ 10V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X3-DSN2718-6
• DMN2012UCA6-7，Diodes产品一站式供应商。