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还在为寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和节省空间的功率开关而烦恼吗？DMN2013UFX-7双N沟道MOSFET正是您期待的解决方案。它拥有20V的耐压和高达10A的连续电流能力，其核心魅力在于超低的导通电阻与栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片专为应对挑战而设计。它符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，能在-55°C至150°C的极端温度下稳定工作，非常适合汽车电子和工业控制等要求苛刻的应用。紧凑的6-DFN表面贴装封装，让您轻松实现高功率密度的PCB布局，节省宝贵空间。选择DMN2013UFX-7，就是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏。

• 型号:DMN2013UFX-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:W-DFN5020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57.4nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2607pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.14W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-VFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:W-DFN5020-6
• DMN2013UFX-7，Diodes产品一站式供应商。