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还在为空间有限的电路板上的高效功率切换而烦恼吗？DMN2014LHAB-7双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。这颗芯片能让您轻松实现紧凑、高效的电源管理，其逻辑电平门驱动特性让您可以直接用微处理器控制，省去复杂的电平转换电路，设计更简单。

凭借仅13毫欧的低导通电阻和高达9A的电流处理能力，它能显著降低功率损耗，提升系统整体效率，尤其适合电池供电的便携设备。同时，其小巧的6-UFDFN封装帮助您最大化利用宝贵的PCB空间，让您的产品在性能和体积上都更具竞争力。

• 型号:DMN2014LHAB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550pF @ 10V
• 功率 - 最大值:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
• DMN2014LHAB-7，Diodes产品一站式供应商。