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还在为功率转换效率低下而拖慢整体性能吗？让DMN2015UFDE-7来改变这一切！这颗N沟道MOSFET是专为高效开关应用打造的利器，它能轻松承载10.5A的大电流，并以低至11.6毫欧的导通电阻为您大幅降低功率损耗，直接提升系统能效，让热量不再是性能的瓶颈。

它采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合高密度集成设计。其优异的栅极驱动特性（驱动电压低至1.5V/4.5V）和快速的开关速度，让您能轻松构建响应迅捷的电源管理或电机驱动电路。无论是便携设备还是工业模块，选择它，就是选择了一份可靠与高效。

• 型号:DMN2015UFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.6 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1779 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
• DMN2015UFDE-7，Diodes产品一站式供应商。