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还在为功率转换效率难以提升而烦恼吗？DMN2015UFDF-7 N沟道MOSFET就是您的高效动力引擎。它拥有20V的耐压和高达15.2A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（最低仅9毫欧），能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久，轻松实现更高的能源效率。

这颗芯片专为 demanding 应用而设计。无论是需要快速开关的同步整流，还是空间受限的便携设备电源管理，它都能完美胜任。其超小的U-DFN2020-6封装节省了宝贵的电路板空间，而优化的栅极特性确保了干净利落的开关动作，帮助您构建更紧凑、更高效、更可靠的下一代电源解决方案。

• 型号:DMN2015UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1439 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2015UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。