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还在寻找一颗能同时搞定高效率和节省空间的MOSFET吗？DMN2016UFX-7就是为您而来的解决方案。它集成了两个N沟道MOSFET，拥有24V的耐压和9.9A的强大电流处理能力，而其导通电阻低至15毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片采用先进的V-DFN2050-4超薄封装，为您在智能手机、平板电脑、便携式设备等空间受限的应用中释放出宝贵的PCB面积。同时，其低栅极电荷和宽工作温度范围（-55°C至150°C），让您能轻松设计出响应快速、稳定可靠的高性能产品，全面提升终端用户体验。

• 型号:DMN2016UFX-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN2050-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 9.9A 4VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.07W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-VFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:V-DFN2050-4
• DMN2016UFX-7，Diodes产品一站式供应商。