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还在寻找一颗能在有限空间内爆发巨大能量的开关管吗？DMN2020LSN-7就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和6.9A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅20毫欧@4.5V），能显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它采用超小的SC-59-3封装，非常适合空间紧凑的便携式电子产品、电源管理和电机驱动应用。优异的开关特性与宽工作温度范围，让您轻松应对各种设计挑战，提升最终产品的整体性能和可靠性。

• 型号:DMN2020LSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1149 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:610mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2020LSN-7，Diodes产品一站式供应商。