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还在为复杂的双MOSFET布局而头疼吗？让DMN2023UCB4-7为您化繁为简！这颗采用先进WLBGA封装的汽车级双N沟道MOSFET阵列，将两个高性能开关集成于微小空间内，让您轻松实现紧凑、高效的电路设计。

它专为严苛环境而生，通过AEC-Q101认证，能在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。凭借24V的耐压和6A的持续电流能力，配合低栅极电荷和导通电阻特性，它能显著提升您的系统能效，无论是用于负载开关、电机驱动还是电源管理，都能让您的产品运行更冷静、更可靠。

• 型号:DMN2023UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-WLB1818-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 6A X1-WLB1818-4
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3333pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.45W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-XFBGA，WLBGA
• 供应商器件封装:X1-WLB1818-4
• DMN2023UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。