我们为全球各个行业提供Diodes DMN2024U-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间受限的设计中难以实现高效功率切换而烦恼吗？让DMN2024U-13来改变这一切！这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和高达6.8A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅25毫欧@4.5V），能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为高效开关而优化，低栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更低。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的系统响应更迅捷，整体能效大幅提升。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN2024U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T\\u0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2024U-13，Diodes产品一站式供应商。