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还在寻找一颗能同时搞定空间限制与性能需求的功率开关解决方案吗？DMN2024UDH-7双N沟道MOSFET阵列就是为您准备的答案。它集成了两个高性能MOSFET于微型封装内，让您轻松实现紧凑布局下的高效电源管理与负载驱动。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅23毫欧的低导通电阻和5.2A的持续电流能力，大幅降低开关损耗和发热，让您的设备运行更高效、更凉爽。无论是用于便携设备的电池保护、DC-DC转换器的同步整流，还是电机驱动，它都能提供稳定可靠的性能。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的坚韧表现。

选择DMN2024UDH-7，意味着您选择了一种简化设计、提升效率并增强系统可靠性的智能方式。让它成为您产品中默默奉献却至关重要的能量枢纽。

• 型号:DMN2024UDH-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647pF @ 10V
• 功率 - 最大值:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• DMN2024UDH-7，Diodes产品一站式供应商。