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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内，以极高效率处理中等功率任务的“能量开关”？DMN2024UFDF-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和7.1A的强大电流通过能力，但其核心魅力在于仅22毫欧的超低导通电阻。这意味着它能极大减少功率传输过程中的损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

更令人惊喜的是，它能在低至1.5V的电压下被高效驱动，并具备极快的开关速度，让您的电源管理或电机控制电路响应更加迅捷，整体效率大幅提升。无论是用于便携设备的负载开关、电机驱动，还是各类DC-DC转换器，它都能让您的设计轻松应对能效与空间的挑战。

采用微型化的U-DFN2020-6封装，它在提供强劲性能的同时，为您节省宝贵的电路板空间。选择DMN2024UFDF-13，就是为您的产品选择了一颗高效、可靠且节省空间的心脏。

• 型号:DMN2024UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:960mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2024UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。