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还在为空间有限的电路板寻找强大的功率开关解决方案吗？DMN2024UVT-7双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它能在微小的TSOT-26封装内，为您提供高达7A的驱动能力和仅24毫欧的超低导通电阻，让您轻松实现高效率的电源路径管理和负载切换，显著提升终端设备的能效与可靠性。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其优异的开关特性（低栅极电荷与输入电容）确保快速响应，而宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则让它能适应各种挑战性环境。无论是便携设备、消费电子还是模块化设计，选择DMN2024UVT-7，就是选择了一种更紧凑、更高效、更可靠的功率管理方式，助您轻松打造更具竞争力的产品。

• 型号:DMN2024UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMN2024UVT-7，Diodes产品一站式供应商。