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您是否正在寻找一颗能同时实现高效能与微型化的功率开关芯片？DMN2025UFDB-13正是您的理想答案。这颗由Diodes Incorporated打造的双N沟道MOSFET阵列，以其仅25毫欧的超低导通电阻和6A的强劲电流处理能力，让您轻松驾驭各种电源管理和负载开关任务，显著提升系统能效。

它采用先进的U-DFN2020-6封装，体积小巧却功能强大，极低的栅极电荷确保快速开关，减少功率损耗。无论是用于便携设备的电池保护，还是主板上的精密电源分配，它都能让您的设计更高效、更可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:DMN2025UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN2025UFDB-13，Diodes产品一站式供应商。