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还在为空间有限的电路板上寻找高性能的功率开关解决方案而烦恼吗？DMN2025UFDB-7双N沟道MOSFET阵列就是您的理想答案。它能在仅2.0mm x 2.0mm的极小面积内，为您提供高达6A的负载驱动能力和低至25毫欧的导通电阻，让您轻松实现高效率的电源管理和负载切换。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计便携设备、Type-C接口或高密度电源模块时，大幅降低开关损耗和热量产生，从而延长电池寿命、提升系统稳定性。其快速的开关特性和宽广的工作温度范围，确保您的产品在各种应用场景下都能表现卓越，助您打造出更节能、更紧凑、更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:DMN2025UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN2025UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。