我们为全球各个行业提供Diodes DMN2025UFDF-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为如何在小巧的设备中实现高效电源管理而烦恼吗？DMN2025UFDF-13正是为您量身打造的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有20V的耐压和高达6.5A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅25毫欧@4.5V），能显著减少开关损耗，让您的便携设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它采用先进的U-DFN2020-6超薄封装，几乎不占空间，完美适配智能手机、平板、TWS耳机等对尺寸极其敏感的应用。同时，其优化的栅极驱动特性（Vgs(th)低至1V）让您能轻松用低压微控制器直接驱动，简化电路设计，提升系统整体能效。选择它，就是选择了一种让产品更轻薄、更高效、更具竞争力的可靠路径。

• 型号:DMN2025UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2025UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。