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还在寻找那颗能兼顾高效与可靠的电源开关核心吗？DMN2027LK3-13正是为您的高效设计而生。这颗N沟道MOSFET以其低至21毫欧的导通电阻和11.6A的持续电流能力，能显著降低您在DC-DC转换、电机控制或负载开关应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它具备2.5V的低阈值驱动电压，让您能轻松搭配各类现代低压控制器，简化电路设计。采用经典的TO-252-3封装，在节省空间的同时提供了优秀的散热性能。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏，轻松应对各种严苛的功率管理挑战。

• 型号:DMN2027LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN2027LK3-13，Diodes产品一站式供应商。