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还在为有限的PCB空间无法满足高功率需求而烦恼吗？DMN2027UPS-13正是为您破解这一难题而生的利器。这颗N沟道MOSFET采用紧凑的PowerDI5060-8封装，却能在其中爆发出高达10A的连续电流处理能力，让您在极致紧凑的设计中，依然可以驾驭充沛动力。

它不仅仅节省空间，更致力于提升您的系统整体效率。其极低的导通电阻（仅12.5毫欧）和栅极电荷，意味着更少的能量损耗在发热上，更高的开关速度，以及更简单的驱动设计。这直接让您的设备运行更凉爽、续航更持久、响应更迅捷。无论是用于同步整流提升电源转换效率，还是作为负载开关实现精准的电源域管理，它都能让您的设计游刃有余。

从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它出色的环境适应性，确保您的产品在各种应用场景下都稳定可靠。选择DMN2027UPS-13，就是选择了一个让设计更高效、产品更具竞争力的智能功率解决方案。

• 型号:DMN2027UPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1091 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMN2027UPS-13，Diodes产品一站式供应商。