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还在为寻找一颗体积小巧、性能强悍的功率开关而烦恼吗？DMN2028UFDF-13就是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达7.9A的连续电流，凭借低至25毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效，直接提升终端产品的能效表现和可靠性。

它采用超紧凑的U-DFN2020-6封装，为您的高密度电路板设计节省每一寸宝贵空间。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让驱动电路设计变得简单，帮助您加速产品开发周期。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:DMN2028UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:907 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2028UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。