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还在为有限的PCB空间和散热设计头疼吗？DMN2028UFU-13双N沟道MOSFET阵列，以其微型化的UDFN2020-6封装，为您释放宝贵的布局空间。它集成了两个高性能MOSFET，让您轻松实现更紧凑、更高效的电路设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至20.2毫欧的导通电阻和7.5A的连续电流能力，大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。其优异的开关特性（栅极电荷仅18.4nC）确保高速切换，进一步提升系统整体能效。

无论是便携设备、消费电子还是工业控制，DMN2028UFU-13都能以卓越的稳定性和宽广的工作温度范围，保障您产品的可靠运行。选择它，就是选择了一份高效与安心的承诺。

• 型号:DMN2028UFU-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:887pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
• DMN2028UFU-13，Diodes产品一站式供应商。