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还在寻找一颗能同时搞定高效能与小体积的功率开关解决方案吗？DMN2028UFU-7正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET就像您电路中的“高效双核引擎”，其超低的20.2毫欧导通电阻，能大幅削减传导损耗，让电能传输更顺畅，设备发热更少，直接提升终端产品的续航与可靠性。

它能让您轻松驾驭高达7.5A的连续电流，并凭借快速的开关特性（低栅极电荷），显著提升电源转换效率。无论是用于负载开关、电机驱动还是DC-DC转换，其紧凑的6-UFDFN封装都能为您节省大量板级空间，让设计更灵活、产品更轻薄。选择它，就是选择了一个高效、紧凑且可靠的功率管理基石。

• 型号:DMN2028UFU-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.2 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.4nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:887pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
• DMN2028UFU-7，Diodes产品一站式供应商。