我们为全球各个行业提供Diodes DMN2029USD-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能高效开关又能节省空间的MOSFET而烦恼吗？DMN2029USD-13正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，凭借20V的耐压和5.8A的持续电流能力，能轻松胜任您电路中的功率切换任务，而其逻辑电平门特性让您可以直接用微控制器驱动，设计变得异常简单。

更令人惊喜的是，它在4.5V驱动电压下导通电阻低至25毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的发热，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于电源管理、电机控制还是负载开关，它都能帮助您提升整体性能，同时紧凑的8-SOIC封装为您节省宝贵的PCB空间。选择它，让您的产品设计轻松迈上新台阶。

• 型号:DMN2029USD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1171pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMN2029USD-13，Diodes产品一站式供应商。