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还在为功率转换效率低下和电路板空间紧张而烦恼吗？DMN2029UVT-13正是您期待的解决方案。这颗高性能N沟道MOSFET能为您高效地控制电路中的功率开关，其仅24毫欧的超低导通电阻，让您在处理高达6.8A电流时，也能将能量损耗和发热降至最低，从而显著提升整体系统效率。

得益于其微型TSOT-26表面贴装封装，它能轻松集成到空间受限的便携式设备、高密度电源模块或任何先进的电子设计中。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更确保了它在各种环境下的稳定表现。选择它，就是选择让您的设计更紧凑、更高效、更可靠。

• 型号:DMN2029UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN2029UVT-13，Diodes产品一站式供应商。