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还在为电路板空间紧张而烦恼吗？DMN2036UCB4-7这颗双N沟道MOSFET阵列芯片，就是为您的高密度设计而生的空间大师。它将两个性能一致的MOSFET集成在超紧凑的WLBGA封装内，让您轻松实现更复杂的负载管理或信号切换功能，同时大幅节省PCB面积。

它凭借低至12.6nC的栅极电荷，能实现高效、快速的开关动作，显著降低驱动损耗，从而延长电池供电设备的续航时间。其坚固的设计支持高达150°C的结温，确保您的产品在各种环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更高效、产品更具竞争力的智能方案。

• 型号:DMN2036UCB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-WLB1616-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X2-WLB1616
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:1.45W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-XFBGA，WLBGA
• 供应商器件封装:X2-WLB1616-4
• DMN2036UCB4-7，Diodes产品一站式供应商。