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还在为功率转换效率低下和电路板空间紧张而头疼吗？DMN2040LTS-13双N沟道MOSFET阵列正是为您量身打造的解决方案。它集高电流处理能力与超低导通电阻于一身，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现紧凑型设计，其微小的8-TSSOP封装为您节省宝贵的PCB空间。同时，其优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保快速响应，提升系统整体性能。无论是汽车电子、便携设备还是工业控制，选择它，就是选择了可靠、高效与卓越。

• 型号:DMN2040LTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570pF @ 10V
• 功率 - 最大值:890mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• DMN2040LTS-13，Diodes产品一站式供应商。