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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省宝贵电路板空间的MOSFET吗？DMN204U-7正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的漏源电压和高达6A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅25毫欧@4.5V），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的SOT-23封装，非常适合空间受限的便携式设备。更令人惊喜的是，它具备低至1.2V的阈值电压和极小的栅极电荷，让您能够轻松地用低压逻辑信号进行高速开关控制，简化驱动电路设计。无论是用于负载开关、DC-DC转换还是电机控制，DMN2040U-7都能以卓越的性能和可靠性，助您轻松打造更具竞争力的产品。

• 型号:DMN2040U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 T\\u0026R 3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:667 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2040U-7，Diodes产品一站式供应商。