我们为全球各个行业提供Diodes DMN2040UVT-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换效率低下和空间局促而头疼吗？让DMN2040UVT-13来为您解决！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，是专为高效开关应用打造的利器。它能在20V电压下轻松驾驭高达6.7A的连续电流，凭借低至24毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、能效更出众。

其超低的栅极电荷和输入电容，确保了极快的开关速度，特别适合高频DC-DC转换、负载开关和电机驱动等场景。采用TSOT-26微型封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时宽温域（-55°C ~ 150°C）设计保障了在各种环境下的可靠运行。选择它，就是为您的设计选择了高效、紧凑与可靠的核心动力。

• 型号:DMN2040UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.7A TSOT26 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:667 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN2040UVT-13，Diodes产品一站式供应商。