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还在寻找一颗能同时搞定空间与效率挑战的MOSFET吗？DMN2041UFDB-13双N沟道MOSFET阵列，就是为您的高效设计而生。它集成了两个性能一致的N沟道MOSFET，凭借仅40毫欧的低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的便携设备电池更耐用，电源模块运行更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载切换、电机驱动和电源管理。其4.7A的持续电流能力和20V的耐压，足以应对大多数消费电子应用；而超低的栅极电荷则确保了快速的开关响应，提升系统整体性能。所有这一切，都被集成在一个极其节省空间的6-UDFN封装内，为您释放宝贵的PCB面积，用于实现更多创新功能。

• 型号:DMN2041UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:713pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN2041UFDB-13，Diodes产品一站式供应商。